半导体掺杂

作品数：29被引量：23H指数：3
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锑化铟半导体掺杂硫元素的能带结构、态密度以及光学性质研究
《成都信息工程大学学报》2025年第1期107-110,共4页韩玉娇 沈艳红 虞游 邓江 盛佳南 
四川省自然科学基金资助项目(2022NSFSC1796、2023ZHCG0047)。
使用基于第一性原理的Materials Studio软件分别计算InSb、InSb_(0.75)S_(0.25)、InSb_(0.5)S_(0.5)的能带结构、态密度和光学性质,并对其进行分析比较。计算结果显示:S原子的掺入使InSb导带顶附近产生杂质能级,导带上移,禁带宽度增加,...
关键词：锑化铟 第一性原理 掺杂 电子性质 光学性质 
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