半导体超晶格

作品数:149被引量:62H指数:3
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半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2296-2296,共1页
半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才
《Journal of Semiconductors》2008年第10期2078-2078,共1页
半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才
《Journal of Semiconductors》2008年第9期F0004-F0004,共1页
半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1636-1636,共1页
半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才
《Journal of Semiconductors》2008年第6期F0004-F0004,共1页
半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才
《Journal of Semiconductors》2008年第5期F0004-F0004,共1页
流体静压下研究电场畴的形成机制被引量:1
《Journal of Semiconductors》1997年第7期554-557,共4页孙宝权 刘振兴 江德生 
本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AIAs超晶格中电场畴的形成机制.对于第一个电流类平台区域,我们观察到两种级联共振隧穿过程,即当p≤2kbar时,高场畴为Γ-Γ级联共振隧穿过程,而当p>2kbar时,高场畴为Γ-X级联共振隧...
关键词:电场畴 流体静压 半导体超晶格 形成机制 
半导体超晶格界面附近的电荷转移
《Journal of Semiconductors》1991年第9期530-535,共6页王仁智 黄美纯 
本文采用LMTO能带从头计算方法,研究了(GaAs)_1(AlAs)_1(001)和(GaAs)_2(AlAs)_2(001)超晶格界面附近的电荷转移状况,分析了引起电荷转移的电负性和对称性因素,给出了电荷转移方向的判据.
关键词:半导体超晶格 界面 电荷转移 
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