半导体三极管

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改革硅平面晶体管常规工艺的研究
《半导体技术》1987年第3期53-55,共3页唐敏 
选用超高频小功率晶体管3DG15做工艺研究实验.实验的方法、结果及其分析如下.一、实验方法及结果1.基区低温氧化及硼扩散采用N/N^+型硅外延片:外延层厚度d外=9μ,电阻率ρ外=0.3~0.5Ω·cm,层错密度N层≤300个/cm^2.取Ⅰ、Ⅱ两批片,Ⅰ...
关键词:常规工艺 晶体管 半导体三极管 诱生 工艺条 通源 
晶体管低温性能的研究
《半导体技术》1985年第2期13-17,共5页吴永新 林坤 
一、概述在国防、科研及生产中,有些电子设备往往需要在较低的温度下(如-40~55℃)工作.而常会发现由于半导体器件本身低温下电参数的变化,特别是hFE参数的急剧下降(可用LTF=hFE(25℃)-hFE(-55℃)/hFE(25℃)×100%来表示hFE的...
关键词:晶体管 LTF 低温 半导体三极管 发射区 基区掺杂 掺杂浓度 
上芯温度对晶体管合格率的影响
《半导体技术》1985年第2期32-35,共4页张苑岳 陈舒佳 
本文叙述晶体管装配生产中,上芯温度和老化时间对晶体管在小注入时的电流放大系数β值的影响,从实验上获得以金硅合金为焊片的晶体管最佳热压键合上芯温度为460±10℃.汕头市半导体器件厂改用此上芯温度后,使产品小注入时β值的废品率...
关键词:晶体管 老化时间 废品率 流尸 半导体三极管 基区 小电流 金硅合金 
通用集成稳压器FW723及其实用电路
《半导体技术》1985年第2期47-52,共6页杨国茂 张坤华 
一、概述通用集成稳压器FW723,性能、电路结构及管脚排列均与μA723一致.这种稳压器具有稳压精度高,使用灵活,运用范围广等特点,可广泛用于对电源要求较高的电子仪器、设备及各种电子线路中.本文对工作原理和应用电路作一简要介绍.FW72...
关键词:输出电压 放大器 晶体管 电子设备 半导体三极管 集成稳压器 输出电流 FW723 负载电流 开关稳压源 
晶体三极管β值的测试方法
《半导体技术》1981年第4期63-64,共2页李振鹏 
β代表晶体三极管共发射极直流电流放大系数,β=Ic/I-b。Ic是集电极电流,Ib是基极电流。 当Ic和Vce(集电极-发射极电压)取值不同时β值也略有不同。因此手册上所规定的β值都是在一定的Ic和Vce数值下测得。测试时按图1所示的电路进行...
关键词:晶体三极管 恒流法 电流 晶体管 集电极 基极 半导体三极管 集电装置 测量方法 测试方法 反馈电阻 
晶体管的特性、选择和使用(一)
《半导体技术》1981年第4期55-57,共3页里白 
一、引言 晶体管的体积小、重量轻、耗电少等这些明显的优点是没有人怀疑的,不过还有不少业余无线电爱好者,甚至个别的专业工作者,还对晶体管存在着一些偏见。例如有些业余爱好者在装配高音质音箱或电视机时,往往还考虑选用电子管。他...
关键词:晶体管 音质 爱好者 业余无线电 半导体三极管 声性质 正向电压 半导体二极管 晶体二极管 电子管电路 
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