半桥电路

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栅极电阻对SiC MOSFET半桥电路串扰的影响
《半导体技术》2024年第12期1114-1120,共7页杨斌 丁峰 沈成 王孟沙 杨胜蓝 孙鹏 赵志斌 
国网东台市供电公司技术咨询项目(B710A2247AZ0)。
SiC MOSFET广泛应用于高频领域,这使其在半桥电路中极易发生串扰现象。实际情况中,半桥电路上、下桥臂的栅极电阻通常保持一致。然而,现有的串扰研究仅在某一桥臂的栅极电阻为定值的条件下分析另一桥臂中栅极电阻的影响,难以获取实际电...
关键词：串扰 栅极电阻 SiC MOSFET 半桥 安全运行 驱动设计 
一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
《半导体技术》2024年第12期1135-1143,共9页熊泰来 杨亚兰 徐卫刚 毕悦 林轩 曹太强 阳小明 
成都市重点研发支撑计划“揭榜挂帅”项目(2023-JB00-00002-SN);成都市重点研发支撑计划技术创新研发项目(2024-YF08-00016-GX,2024-YF08-00033-GX,2024-YF08-00041-GX,2024-YF08-00136-GX)。
在SiC MOSFET为主开关管的半桥电路中,寄生参数会导致串扰问题,影响电路的工作安全。为了抑制串扰,提出了一种有源串扰抑制驱动电路。在传统无源驱动电路的基础上,增加了辅助MOSFET和快恢复二极管对正向串扰和负向串扰进行抑制,并增加...
关键词：SiC MOSFET 寄生参数 半桥电路 有源驱动 串扰抑制 负压关断 
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