边发射

作品数：23被引量：34H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：渠红伟郑婉华刘磊王海玲张建心更多>>
相关机构：中国科学院长春理工大学河南仕佳光子科技股份有限公司奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司更多>>
相关期刊：《电子科技文摘》《材料研究学报》《激光与光电子学进展》《光机电信息》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 基金=国家重点基础研究发展计划x
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于模板剥离法制备有机晶体发光二极管器件及其特性
《科学通报》2016年第10期1135-1140,共6页周威 董奉喜 丁然 冯晶 
国家自然科学基金(61322402,91233123,51373064,61177024);国家重点基础研究发展计划(2013CBA01700)资助
有机晶体材料由于具有低的杂质含量、高的载流子迁移率、以及高的荧光量子效率在光电器件领域受到人们广泛的关注.但是,由于有机晶体材料具有易碎、致柔且对有机溶剂敏感等特性,导致其难于制备发光二极管器件.本文设计了一种简单且无破...
关键词：有机晶体 噻吩/苯齐聚物晶体 发光二极管 模板剥离法 边发射电致发光 
隧道再生结构的垂直腔面发射激光器激射特性研究
《固体电子学研究与进展》2005年第4期499-502,530,共5页渠红伟 郭霞 邓军 董立闽 廉鹏 邹德恕 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276033和批准号69889601);国家"863"高技术计划资助项目(批准号:2002AA312070);国家"973"计划资助项目(批准号:G20000683-02);北京市自然科学基金资助项目(批准号:4021001)
对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息。如果谐振腔谐振波长比增益谱峰值波长长2...
关键词：垂直腔面发射激光器 隧道再生 边发射 增益谱 
隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究
《激光与红外》2005年第4期246-249,共4页渠红伟 郭霞 邓军 董立闽 廉鹏 邹德恕 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(NO: 60276033和NO:69889601);国家"863"高技术计划资助项目 (NO:2002AA312070 );国家"973"计划资助项目(NO:G20000683-02 );北京市自然科学基金资助项目(NO: 4021001)。
文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长...
关键词：垂直腔面发射激光器 边发射 模式 增益谱 
一种新结构中ZnSe薄膜电致发光特性研究被引量：1
《光电子．激光》2004年第9期1046-1049,共4页于文革 徐征 曲崇 徐恩生 
国家自然科学基金资助项目(10374001);国家"973"计划资助项目(2003CB314707);教育部博士点基金资助项目(20020004004);北京市自然基金资助项目(2032015)50077015)
用电子束蒸发的方法制备了一种新的ITO/SiO2/ZnSe/SiO2/Al薄膜电致(TFEL)发光器件。在交流电压驱动下,其有2个发光峰,分别位于466nm和560nm。通过研究器件(PL)激发(PLE)谱、光致发光、EL发光以及EL发光强度随驱动电压和频率的变化发现,...
关键词：电致发光特性 边发射 无机电致发光 发光器件 发光层 碰撞激发 ITO 薄膜 SiO2 发光峰 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部