氮化硅膜

作品数：50被引量：106H指数：5
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双层PECVD氮化硅膜晶体硅太阳电池被引量：2
《中国建设动态（阳光能源）》2011年第5期57-60,共4页屈盛 毛和璜 韩增华 汤叶华 周春兰 王文静 张兴旺 
江苏省科技基础设施建设计划项目(BM2009611);江苏省自然科学基金项目(BK2009620)
利用管式PECVD在太阳电池片上沉积双层折射率和厚度均不同的SiNx:H薄膜。这种双层SiNx:H薄膜是采用2个不同的硅烷氨气流量比在1次沉积过程中获得的,其第1子层(靠近硅片)具有较高的折射率和较薄的厚度,而第2子层具有较低的折射率和较厚...
关键词：晶体硅太阳电池 PECVD氮化硅双层膜 硅烷氨气比 
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