OSIT

作品数：140被引量：280H指数：8
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Exponential dependence of potential barrier height on biased voltages of inorganic/organic static induction transistor被引量：1
《Journal of Semiconductors》2010年第4期20-24,共5页张雍 杨建红 蔡雪原 汪再兴 
The exponential dependence of the potential barrier height Фc on the biased voltages of the inorganic/organic static induction transistor （SIT/OSIT） through a normalized approach in the low-current regime is presen...
关键词：SIT OSIT potential barrier height normalized approach I-V characteristics 
Low Noise Distributed Amplifiers Using a Novel Composite-Channel GaN HEMTs被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2297-2300,共4页程知群 周肖鹏 陈敬 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60776052)~~
Low noise distributed amplifiers （DAs） using the novel low noise composite-channel Al0.3 Ga0.7N/ml0.05 Ga0.95 N/ GaN HEMTs （CC-HEMTs） with 1μm-gate-length are designed and fabricated. Simulated and measured resul...
关键词：low noise distributed amplifiers composite-channel GaN HEMTs 
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