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PINCH-OFF: 作品数：8被引量：5H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李思渊胡冬青王永顺刘肃丁航更多>>; 相关机构：兰州大学北京大学中国科学技术大学更多>>; 相关期刊：《Acta Mechanica Sinica》《Chinese Physics B》《Journal of Semiconductors》《Fluid Dynamics & Materials Processing》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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Trapezoid mesa trench metal-oxide semiconductor barrier Schottky rectifier:an improved Schottky rectifier with better reverse characteristics被引量：1: 《Chinese Physics B》2011年第8期376-383,共8页李惟一茹国平蒋玉龙阮刚; Project supported by the International Research Training Group "Materials and Concepts for Interconnects and Nanosystems"; An improved structure of Schottky rectifier, called a trapezoid mesa trench metal oxide semiconductor （MOS） barrier Schottky rectifier （TM-TMBS）, is proposed and studied by two-dimensional numerical simulations. B...; 关键词：Schottky rectifier pinch-off effect breakdown power device