PTCDA/P-SI

作品数：7被引量：20H指数：3
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PTCDA纯度对PTCDA/p-Si光电探测器性能的影响
《光电子》2021年第4期205-213,共9页李霞 张盛东 王静 张浩力 张福甲 
本文研究不同纯度的PTCDA制备的PTCDA/p-Si光电探测器的制备和性能。研究结果表明:PTCDA纯度越高,制备的探测器暗电流越小,光电流越大。制备的探测器的正向电流–电压特性越好,呈二极管特性曲线。而且探测器的反向暗电流越小,其反向光...
关键词：PTCDA 纯度 OIHJ 光电探测器 I-V特性 
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