PTCDA/P-SI

作品数：7被引量：20H指数：3
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PTCDA纯度对PTCDA/p-Si光电探测器性能的影响
《光电子》2021年第4期205-213,共9页李霞 张盛东 王静 张浩力 张福甲 
本文研究不同纯度的PTCDA制备的PTCDA/p-Si光电探测器的制备和性能。研究结果表明:PTCDA纯度越高,制备的探测器暗电流越小,光电流越大。制备的探测器的正向电流–电压特性越好,呈二极管特性曲线。而且探测器的反向暗电流越小,其反向光...
关键词：PTCDA 纯度 OIHJ 光电探测器 I-V特性 
PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析被引量：1
《发光学报》2014年第12期1459-1463,共5页张旭 张杰 闫兆文 周星宇 张福甲 
甘肃省教育厅科研项目(2013A-133);甘肃省自然科学基金(145RJZA071)资助项目
在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面,成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱(XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明,ITO中的In3d及Sn3d各出现两个分裂...
关键词：有机光电探测器 低阻欧姆接触层 反应机理 X射线光电子能谱 
PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究被引量：2
《甘肃科学学报》2008年第4期70-73,共4页张旭 
国家自然科学基金资助项目(60676033)
有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.
关键词：异质结 电势分布 电场分布 伏安特性 
PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究
《功能材料与器件学报》2006年第3期225-228,共4页张福甲 冯煜东 李东仓 胥超 
国家自然科学基金(No.60276026);甘肃省自然科学基金资助项目(No.3ZS041-A25-001)
利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理。
关键词：PTCDA/P—Si AFM 表面形貌 岛密度 衬底温度 
新型PTCDA/p-Si光电探测器被引量：12
《光电子．激光》2005年第8期897-900,共4页张福甲 李东仓 桂文明 戴志平 
国家自然科学基金资助项目(60276026);甘肃省自然科学基金资助项目(ZS031-A25-012-G)
研制成功的PTCDA/p-Si新型光电探测器与型号为PHD714的PIN光电二极管的电参数进行了测试对比.结果表明,两者的光谱响应范围均为450～1 100 nm,峰值波长为930 nm,对光的响应速度均小于10-9 s;在1 000 Lx及1.5 V电压作用下,前者的光电流...
关键词：光电探测器 电参数 对比 
有机/无机光电探测器的AFM和XPS分析被引量：10
《光电子．激光》2003年第4期336-341,共6页何锡源 张旭 郑代顺 郜朝阳 张福甲 
国家自然科学基金资助项目(60076023)
采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7e...
关键词：光电探测器 PTCDA/P-SI 原子力显微镜 AFM X光电子能谱 XPS 
PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析被引量：10
《甘肃科学学报》2000年第1期1-5,共5页张福甲 王德明 
国家自然科学基金资助项目!(编号 6 96 76 0 10 )
根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。
关键词：PTCDA 异质结 电流输运 能带结构 有机半导体 硅 
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