P阱

作品数：13被引量：7H指数：2
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VDMOS参数一种新失效模式的调查与分析
《电子质量》2013年第4期34-40,共7页周桂丽 
该文通过详细记录一种新的VDMOS失效模式,按调查过程,层层抽丝剥茧,从JEFT注入到N阱形成,通过对比几个相近失效模式,最后找出造成失效的真正原因,并对失效模式进行分析。
关键词：JEFT注入 N阱 P阱 输出曲线 打胶 
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