SCHOTTKY二极管

作品数：9被引量：17H指数：2
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ISV86 Schottky二极管结半径与反向漏电之间的关系
《微电子技术》1996年第6期24-28,共5页黄英 
本文介绍了ISV86Schottky二极管研制过程中为降低反向漏电所进行的理论分析。Schottky终端结处的强场效应是产生漏电的主要原因，推算了无保护环Schottky二极管（USDB）终端结半径与其Ⅰ─Ⅴ特性的数学关系。然后利用这些数学表达式进...
关键词：终端结 ISV86 反向漏电 二极管 
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