SOI工艺

作品数：82被引量：86H指数：5
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基于0.13μm SOI CMOS工艺的高性能LDO设计被引量：3
《电子设计工程》2018年第19期165-170,共6页李雅淑 高超嵩 孙向明 杨苹 
国家自然科学基金面上项目(11375073);国家自然青年科学基金(11605071)
基于电子设备对电源管理芯片的需求,本文设计了一种输出电压2.8 V,最大负载电流为50mA的高性能低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。该LDO采用调整管栅极驱动技术,改善了负载瞬态响应,同时利用片外电容的等效串联电阻(Equival...
关键词：低压差线性稳压器 SOI工艺 高稳定性 瞬态响应 电源抑制比 
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