SOI工艺

作品数：82被引量：86H指数：5
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用于新一代蓝牙BLE系统的22nm CMOS SOI工艺E类功率放大器设计
《电子技术（上海）》2021年第12期1-3,共3页阮颖 
阐述22nm CMOS SOI工艺设计一款用于新一代蓝牙BLE5.2系统的E类功率放大器,它采用两级差分结构,由三级反相器级联的缓冲器和Cascode晶体管堆叠结构的功率级构成,有效地防止功率晶体管击穿同时,提高了功率放大器的效率。仿真表明,在2.4~2...
关键词：集成电路设计 功率放大器 BLE SOI 
22nm FDSOI工艺单粒子瞬态脉宽研究被引量：1
《电子技术（上海）》2020年第2期7-9,共3页沈磊 徐烈伟 赵凯 
上海市软件和集成电路专项(180102)。
针对空间用集成电路共性技术问题,在22nm FDSOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)工艺上开展单粒子效应技术研究意义重大。设计一款宽量程、高分辨率、精度可校准的SET(Single Event Transient)测试芯片,并经过实际流片和单粒子地...
关键词：集成电路设计 FDSOI SET 脉冲宽度 单粒子模拟 
40Mb单片抗辐射SRAM存储器芯片
《电子技术（上海）》2020年第2期1-3,共3页沈磊 赵凯 王海华 
上海市战略性新兴产业重大项目(2019-1204)。
抗辐射大容量SRAM存储器是航天航空电子系统中的关键微电路产品。依托先进的22nm FDSOI CMOS工艺制造平台,设计了一款高性能单片40Mb抗辐射异步SRAM。单粒子地面模拟试验结果显示,该大容量SRAM具有优秀的抗单粒子翻转能力,是目前已知具...
关键词：集成电路设计 SRAM存储器 单片芯片 单粒子效应 FDSOI工艺 
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