SOI结构

作品数：47被引量：52H指数：4
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相关作者：罗家俊林成鲁邹世昌陆江赵海涛更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所复旦大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
相关期刊：《电子世界》《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》《物理学报》《物理》更多>>
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基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究被引量：1
《核技术》2019年第12期43-48,共6页孙静 郭旗 郑齐文 崔江维 何承发 刘海涛 刘许强 刘梦新 
国家自然科学基金(No.11605283、No.U1630141、No.11975305);中国科学院西部之光项目(No.2017-XBQNXZ-B-008)资助~~
绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide,SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI BOX PMOS的辐照...
关键词：辐照传感器 基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管 剂量计 
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