SPIC

作品数：33被引量：42H指数：3
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Non-Destructive Parameters Extraction for a Novel IGBT SPICE Model and Verified with Measurements被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第7期702-706,共5页袁寿财 朱长纯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 3 60 16,5 0 0 770 16);教育部博士点基金 (No.CETD0 0 -10 )资助项目~~
An IGBT subcircuit model is proposed and optimized,which is fully SPICE compatible.Based on analytical equations describing the semiconductor device physics,the model parameters are extracted accurately from the measu...
关键词：IGBT subcircuit simulation SPICE-model parameter-extraction 
A Novel SPIC with a Simple APFC Circuit
《Journal of Semiconductors》2002年第8期813-816,共4页韩磊 叶星宁 成民 杨洪强 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 41)~~
A novel SPIC(smart power IC) with a simple APFC(active power factor correction) circuit on one chip is proposed.The V _ bus (bus voltage) with high power factor falls from 600V to 400V by using a delay circuit in w...
关键词：APFC SPIC duty cycle bus voltage 
A Novel High-Voltage Detector Integrated into SPIC by Using FFLR被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1250-1254,共5页韩磊 叶星宁 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 41)~~
A novel high voltage detector that can be integrated into SPIC (Smart Power IC) is proposed.The structure is designed on the basis of normal junction terminal technique of FFLR (Floating Field Limiting Rings) system....
关键词：FFLR high voltage detector voltage divider detector ring 
浮空场板的二维数值分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第4期298-302,共5页张旻 李肇基 
本文提出了模拟二氧化硅表面的浮空场板二维电场分布的一种新方法，它基于异质结器件的模拟方法，将二氧化硅用电导率为零、介电常数为３．９的材料来模拟．借助此方法对一新结构的浮空场板进行了二维数值计算，并获得实验的初步支持．
关键词：二维数值分析 浮空场所 SPIC 智能功率IC 
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