SPICE模型

作品数:106被引量:155H指数:6
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:孙伟锋彭浴辉杜正伟石艳玲任铮更多>>
相关机构:东南大学电子科技大学湖南大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 作者=任铮x
条 记 录,以下是1-1
视图:
排序:
高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1561-1565,共5页许佳宜 石艳玲 任铮 胡少坚 万星拱 丁艳芳 赖宗声 
国家自然科学基金(批准号:60676047;60606010);上海市科委启明星计划(批准号:075007033;04QMX1419;07QB14018);上海-应用材料研究与发展基金(批准号:0522)资助项目~~
分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产生的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HV...
关键词:高压双扩散漏MOS晶体管 MESFET 尺寸可缩放宏模型 SPICE模型 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部