SU-8胶

作品数:54被引量:207H指数:8
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基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备被引量:3
《分析化学》2016年第4期660-664,共5页李刚 李大维 赵清华 菅傲群 王开鹰 胡杰 桑胜波 程再军 孙伟 
国家自然科学基金(Nos.61504113;51205275);人社部留学基金(No.[2014]240);山西省归国留学基金(2013-035);山西省人社厅留学人员择优资助(No.[2013]251);山西省科技研究基金(Nos.20141001021-2;2014011019-1);国家863计划(No.2013AA041100);山西省科技重大专项(No.20121101004);山西省高等特色学科建设项目([2012]45)资助~~
利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,。首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距。实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均...
关键词:三维微阵列 斜光刻技术 SU-8光刻胶 比表面积 
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