亚微米集成电路

作品数：36被引量：81H指数：4
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亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第6期614-619,共6页梁京 黄榕旭 郑国祥 林健 庞海舟 宗祥福 
在亚微米 IC器件的铝金属化工艺中 ,采用了阻挡层和硅化物后 ,发现随着铝淀积温度的升高 ,铝的阶梯覆盖率有所提高 .为克服高温淀积带来的问题 ,采用了两步的冷 /热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射 .通过研究和一系列的比较实验 ...
关键词：填充 接触孔 金属化工艺 亚微米集成电路 
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