TI/AL/NI/AU

作品数：14被引量：12H指数：2
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Ti/Al/Ni/Au在GaN N面上的欧姆接触被引量：2
《半导体技术》2017年第9期701-705,共5页徐真逸 叶斌斌 蓝剑越 董超 李雪威 王建峰 徐科 
国家自然科学基金资助项目(61574164;11435010)
以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓(GaN)材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×10-4Ω·cm^2。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、阴极荧...
关键词：TI/AL/NI/AU N面 欧姆接触 电感耦合等离子体(ICP) 铁掺杂 
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