VLS

作品数：59被引量：111H指数：6
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HVPE生长的高质量GaN纳米柱的光学性能被引量：1
《半导体技术》2017年第7期526-530,共5页陈琳 王琦楠 陈丁丁 陶志阔 修向前 
国家自然科学基金资助项目(61574079;61274003;61400401;51461135002;61334009);国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400100;2016YFB0400602);国家高技术研究发展规划资助项目(2015AA033305);江苏省自然科学基金资助项目(BY2013077;BK20141320;BE2015111)
GaN纳米材料因具有优异的晶体质量和突出的光学性能及发射性能,日益受到关注。研究了一种利用氢化物气相外延(HVPE)系统生长高质量的Ga N纳米柱的方法。使用镍作为催化剂,在蓝宝石衬底上生长出了GaN纳米柱。在不同生长时间和不同HCl体...
关键词：氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓 纳米柱 气-液-固(VLS)机制 光致荧光 
GaN纳米线生长的影响因素与机理分析被引量：1
《半导体技术》2014年第3期199-203,209,共6页王新中 于广辉 李世国 张春晓 
国家自然科学基金资助项目(61240015);广东省自然科学基金资助项目(S2012010010030);深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120615101957810;JCYJ20130401100513002)
基于气液固（VLS）反应机制，采用厚度为2～3nm的金属镍作为催化剂，金属镓和氨气分别用作Ⅲ族和Ⅴ族的生长源，在自行改造的化学气相沉积（CVD）设备内获得了大面积GaN纳米线。通过扫描电镜（SEM）、能量分散X射线荧光（EDX）谱和透射...
关键词：氮化镓 纳米线 镍 气液固(VLS) 化学气相沉积(CVD) 
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