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作品数：134被引量：311H指数：9
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Enhanced performances of AlGaInP-based light-emitting diodes with Schottky current blocking layers被引量：1
《Chinese Physics B》2015年第9期464-467,共4页马莉 沈光地 高志远 徐晨 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.11204009);the Natural Science Foundation of Beijing,China(Grant No.4142005)
A new epitaxial structure of AlGaInP-based light-emitting diode（LED） with a 0.5-μm GaP window layer was fabricated. In addition, indium tin oxide（ITO） and localized Cr deposition beneath the p-pad electrode were ...
关键词：light-emitting diodes Schottky current blocking layer current spreading 
AlGaInP-Si glue bonded high performance light emitting diodes被引量：1
《Chinese Physics B》2011年第8期354-357,共4页陈依新 沈光地 郭伟玲 高志远 
Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03A121);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB604900)
We propose a new method of using conductive glue to agglutinate GaAs based A1CaInP light emitting diodes （LEDs） onto silicon substrate, and the absorbing GaAs layer is subsequently removed by grinding and selective ...
关键词：glue agglutinated AlGaInP LEDs Si substrate luminous intensity 
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