ALGAAS

作品数：193被引量：128H指数：5
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相关作者：陆卫沈光地沈学础徐遵图郭霞更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学南京电子器件研究所厦门大学更多>>
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禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第2期152-156,共5页周守利 崔海林 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划项目(2003CB314901);高等学校博士学科点专项科研基金(20020013010)
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收...
关键词：热场发射扩散 禁带变窄效应 Jain-Roulston模型 
基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响
《半导体光电》2004年第6期489-492,共4页周守利 崇英哲 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划项目 (2 0 0 3CB3 1 490 1 ) ;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目 (2 0 0 2 0 0 1 3 0 1 0 )
　基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射 扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精...
关键词：热场发射扩散 能带变窄效应 Jain—Roulston模型 
考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析被引量：2
《电子器件》2004年第4期559-563,共5页周守利 崇英哲 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划项目 ( 2 0 0 3 CB3 1 490 1 ) ;高等学校博士学科点专项科研基金 ( 2 0 0 2 0 0 1 3 0 1 0 )
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roul...
关键词：热场发射扩散 能带变窄效应(BGN) 自热效应 Jain—Roulston模型 
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