云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ALGAN/GANHEMT

ALGAN/GANHEMT: 作品数：10被引量：22H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：袁婷婷曾轩刘新宇刘果果王亮更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院微电子研究所北京工业大学更多>>; 相关期刊：《微纳电子技术》《电子器件》《微波学报》《微电子学》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金中国科学院重点实验室基金更多>>

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源漏偏置电压对AlGaN/GaNHEMT太赫兹探测器灵敏度的调控被引量：2: 《微纳电子技术》2021年第10期875-881,共7页刘亮熊圣浩丁青峰冯伟朱一帆秦华; 国家自然科学基金资助项目(61775231,61975227);江苏省重点研发计划项目(BE2018005)。; 天线耦合的场效应晶体管(FET)太赫兹自混频探测器通常工作在零源漏偏压下,设置恰当的栅极电压可获得最佳的灵敏度。测试分析了天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹自混频探测器的源漏偏置电压对太赫兹自混频响应度和噪声...; 关键词：太赫兹探测器高电子迁移率晶体管(HEMT) 氮化镓(GaN) 噪声等效功率(NEP) 自混频噪声