ALXGA1-XAS

作品数：13被引量：14H指数：3
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相关机构：内蒙古大学云南师范大学北京工业大学兰州大学更多>>
相关期刊：《电子器件》《南京师大学报（自然科学版）》《半导体杂志》《Communications in Theoretical Physics》更多>>
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Al_xGa_(1-x)As选择性湿法氧化技术的研究被引量：4
《红外与激光工程》2003年第6期647-650,共4页黄静 郭霞 渠红伟 廉鹏 董立闽 朱文军 杜金玉 邹德恕 沈光地 
国家973计划资助项目(G20000683 3)
详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8μm...
关键词：垂直腔面发射激光器 ALXGA1-XAS 氧化 
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