ALXGA1-XAS

作品数:13被引量:14H指数:3
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相关作者:王履芳涂洁磊陈庭金毛宇兰天更多>>
相关机构:内蒙古大学云南师范大学北京工业大学兰州大学更多>>
相关期刊:《电子器件》《南京师大学报(自然科学版)》《半导体杂志》《Communications in Theoretical Physics》更多>>
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Comparative study on the influence of AI component at GaAIAs layer for GaAs/A1GaAs photocathode被引量:1
《Journal of Semiconductors》2017年第8期16-21,共6页Yuan Xu Benkang Chang Xinlong Chen Yunsheng Qian 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.91433108,61301023)
We designed two transmission-mode GaAs/AIGaAs photocathodes with different AlxGa1-xAs layers, one has an AlxGal-xAs layer with the Al component ranging from 0.9 to 0, and the other has a fixed AI component 0.7. Using ...
关键词:AlxGa1-xAs layer variable A1 component GaAs/AlGaAs photocathode quantum efficiency 
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