ALXGA1-XAS

作品数：13被引量：14H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：王履芳涂洁磊陈庭金毛宇兰天更多>>
相关机构：内蒙古大学云南师范大学北京工业大学兰州大学更多>>
相关期刊：《电子器件》《南京师大学报（自然科学版）》《半导体杂志》《Communications in Theoretical Physics》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划兵器预研支撑基金西安工业大学校长基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体光电x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质被引量：3
《半导体光电》1994年第3期232-236,共5页张福甲 虎志明 
用变分法分别计算了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振予强度和交换能的影响。
关键词：量子阱 激子 纵向外电场 砷化镓 ALXGA1-XAS 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部