ARM7TDMI内核

作品数：13被引量：13H指数：2
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基于ARM7TDMI的cache控制器电路被引量：1
《电子工程师》2004年第12期11-14,共4页薛骏 潘江涛 杨军 
国家自然科学基金 (60 1760 18);基于低功耗内建自测试的可测性设计方法研究
针对ARM7TDMI内核的特点,提出了一种高速缓存(cache)控制器的电路实现方案。主要应用Verilog硬件描述语言对cache控制器进行了行为级描述,通过了前端仿真和综合后的联合仿真,比较了嵌入式系统中有无cache的工作效率,并给出了实验结果。...
关键词：前端 VERILOG硬件描述语言 电路实现 ARM7TDMI内核 存储性能 控制器 仿真 高速缓存 嵌入式系统 方案 
香港科技园获ARMCPU授权香港集成电路设计中心将提供ARM技术
《电子工业专用设备》2004年第5期48-48,共1页
英国ARM公司近日宣布：香港科技园公司(HKSTP)已获业界领先的ARM7TDMI内核。香港科技园公司将通过集成电路设计研发服务中心向中小型公司和当地的无晶圆设计公司提供使用ARM技术的途径。
关键词：ARM公司 香港科技园公司 ARM7TDMI内核 集成电路设计 
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