C-V法

作品数：14被引量：43H指数：4
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C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度被引量：8
《物理学报》2006年第6期2992-2996,共5页郜锦侠 张义门 汤晓燕 张玉明 
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:A50103250091)资助的课题~~
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差....
关键词：C-V法 SIC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度 
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