CDTE-ZNTE

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ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽
《半导体光电》1999年第6期413-415,共3页郑泽伟 范希武 郑著宏 杨宝均 
空军基础理论课题资助项目!(KJ9801)
通过对Zn xCd1 - xTe- ZnTe 多量子阱的光致发光研究,讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源,而由流体力学性质决定的涨落,在组分张落中起着非常重要的作用。
关键词:多量子阱 激子 非均匀增宽 组分涨落 
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