CL2/AR

作品数：5被引量：20H指数：3
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Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究被引量：2
《电子科技》2012年第9期1-5,共5页郭帅 周弘毅 陈树华 郭霞 
国家自然科学基金资助项目(61076048)
采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻...
关键词：感应耦合等离子体 硅 CL2/AR 离子辅助刻蚀 
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