CL2/AR

作品数：5被引量：20H指数：3
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相关作者：李向阳陈亮龚海梅赵德刚亢勇更多>>
相关机构：中国科学院上海大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《半导体光电》《Science China(Technological Sciences)》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响被引量：4
《半导体光电》2018年第2期216-220,共5页李雅飞 李晓良 马英杰 陈洁珺 徐飞 顾溢 
国家自然科学基金项目(61775228)
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar...
关键词：ICP刻蚀 CL2/AR Cl2/BCl3 光刻胶碳化变性 刻蚀图形侧壁 
Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究被引量：2
《电子科技》2012年第9期1-5,共5页郭帅 周弘毅 陈树华 郭霞 
国家自然科学基金资助项目(61076048)
采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻...
关键词：感应耦合等离子体 硅 CL2/AR 离子辅助刻蚀 
Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀对AlGaN的损伤研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第3期420-423,共4页陈亮 亢勇 赵德刚 李向阳 龚海梅 
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速...
关键词：感应耦合等离子体 铝镓氮 X射线光电子能谱 损伤 
Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺被引量：7
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1335-1338,共4页刘北平 李晓良 朱海波 
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等方式,讨论了这些因素对刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实...
关键词：干法刻蚀 感应耦合等离子体 GAN 刻蚀速率 Cl2/He CL2/AR 
Nonselective etching of GaN/AlGaN heterostructures by Cl2/Ar/BCl3 inductively coupled plasmas被引量：6
《Science China(Technological Sciences)》2004年第2期150-158,共9页HAN Yanjun XUE Song WU Tong WU Zhen GUO Wenping LUO Yi HAO Zhibiao SUN Changzheng 
the Foundation for Key Projects of Basic Research (TG2000036601);the '863' High Tech Foundation (2002AA31119Z, 2001AA312190); the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60244001).
A systematic study of the nonselective and smooth etching of GaN/AIGaN het-erostructures was performed using C12/Ar/BCI3 inductively coupled plasmas (ICR).Nonselective etching can be realized by adjusting the BCI3 rat...
关键词：GAN Al0.28Ga0.72N ICP Cl2/Ar/BCl3 nonselective etching 
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