CL2/AR

作品数：5被引量：20H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李向阳陈亮龚海梅赵德刚亢勇更多>>
相关机构：中国科学院上海大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《半导体光电》《Science China(Technological Sciences)》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响被引量：4
《半导体光电》2018年第2期216-220,共5页李雅飞 李晓良 马英杰 陈洁珺 徐飞 顾溢 
国家自然科学基金项目(61775228)
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar...
关键词：ICP刻蚀 CL2/AR Cl2/BCl3 光刻胶碳化变性 刻蚀图形侧壁 
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