云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- CMOS带隙基准

CMOS带隙基准: 作品数：122被引量：308H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：杨银堂刘帘曦范涛朱樟明王宇星更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学东南大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金西安应用材料创新基金陕西省科技攻关计划国家高技术研究发展计划更多>>

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一种极低功耗自偏置CMOS带隙基准源被引量：1: 《电子世界》2015年第23期67-69,共3页吕阳王春雷朱杰邱成军; 基于CMSC 0.18um CMOS工艺,设计了一种自偏置结构带隙基准源,利用自偏置结构能够省略启动电路。所有MOS管工作在亚阈值范围,电路总功耗能够降低到n A级。利用华大九天Aether软件验证平台,仿真结果表明,电路最低工作电源电压为0.8V,在-40...; 关键词：带隙基准源低功耗自偏置

一种高精度的CMOS带隙基准电压源被引量：9: 《电子工程师》2004年第3期13-15,共3页黄晓敏沈绪榜邹雪城蒋湘; 设计了一种采用 0 .2 5 μmCMOS工艺的高精度带隙基准电压源。该电路结构新颖 ,性能优异 ,其温度系数可达 3× 10 - 6 /℃ ,电源抑制比可达 75dB。还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路 ,以保证电路工作点正常、性能优良 ...; 关键词：CMOS 带隙基准电压源电源抑制比静态功耗

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