CMOS基准电压源

作品数:22被引量:37H指数:3
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相关作者:朱智勇段吉海夏晓娟韦雪明岳宏卫更多>>
相关机构:桂林电子科技大学东南大学电子科技大学中国科学技术大学更多>>
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一种超低功耗高性能的亚阈值全CMOS基准电压源被引量:3
《半导体技术》2016年第4期261-266,共6页朱智勇 段吉海 邓进丽 韦雪明 赵洪飞 
国家自然科学基金资助项目(61161003;61264001;61166004);广西自然科学基金资助项目(2013GXNSFAA019333);广西桂林电子科技大学研究生科研创新项目(YJCXS201519)
介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管(BJT)的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路(ASIC)。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传...
关键词:专用集成电路(ASIC) 超低功耗 电压基准源 亚阈值 电源电压抑制比(PSRR) 共源共栅电流镜 
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