CMOS基准电压源

作品数：22被引量：37H指数：3
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一种超低功耗的全CMOS基准电压源设计被引量：4
《现代电子技术》2020年第16期1-3,8,共4页王梓淇 王永顺 陈昊 
国家自然科学基金项目(61366006)。
基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计一款纳瓦级功耗的全CMOS带隙基准电路。该电路由全CMOS电路实现,避免使用三极管和电阻,实现了节省芯片面积的目的。晶体管工作在三极管区和亚阈值区,大幅降低了功耗。Cadence仿真结果表明:在-20~100℃范...
关键词：全CMOS 带隙基准 基准电压源 电路设计 超低能耗 Cadence仿真 
一种低功耗高PSRR CMOS基准电压源被引量：3
《微电子学》2020年第4期477-481,共5页符征裕 段吉海 韦胶二 孔令宝 崔鹏 
广西自然科学基金资助项目(2017JJA170452y);广西精密导航技术与应用重点实验室主任基金资助项目(DH201806);广西桂林电子科技大学研究生科研创新项目(2019YCXS023)。
提出了一种采用新颖负温漂系数电流源补偿结构的高性能基准电压源。利用工作在亚阈值区的两个MOS管的栅源电压差与工作在线性区的MOS管的漏电流关系,产生补偿电流,使输出电压对温度不敏感。提出的负温漂电流源结构没有使用传统大电阻,...
关键词：低功耗 温漂系数 电流模式 电源抑制比 
一种超低温漂低功耗全CMOS基准电压源被引量：3
《微电子学》2017年第6期769-773,共5页周茜 邓进丽 岳宏卫 朱智勇 龚全熙 孙晓菲 
国家自然科学基金资助项目(11264009;61465004);广西区教育厅高校科研资助项目(YB2014135);桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(YJCXS201514;2016YJCX92)
提出了一种超低温漂、低功耗亚阈值全CMOS基准电压源。利用工作在亚阈值区的3.3V MOS管与1.8V MOS管的栅源电压差,产生具有负温度系数的ΔVTH和具有正温度系数的VT,经过相互调节,得到与温度无关的基准电压。采用了共源共栅电流镜,以降...
关键词：基准电压源 超低温漂 低功耗 亚阈值 共源共栅电流镜 
一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源被引量：3
《微电子学》2017年第6期774-778,共5页尹勇生 易昕 邓红辉 
安徽省科技攻关项目(JZ2014AKKG0430);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014HGCH0010)
根据带隙基准电压源工作原理,设计了一种带2阶温度补偿的负反馈箝位CMOS基准电压源。不同于带放大电路的带隙基准电压源,该基准电压源不会受到失调的影响,采用的负反馈箝位技术使电路输出更稳定。加入了高阶补偿电路,改善了带隙基准电...
关键词：带隙基准电压源 负反馈 2阶温度补偿 
高精度CMOS基准电压源设计
《电子世界》2017年第14期117-118,共2页宁江华 
基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC、DAC、SOC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度。本文阐述了一个基于带隙基准结构的低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源。该电路采用SMIC 0...
关键词：CMOS基准电压源 低功耗 温度补偿 高电源抑制比 
一种0.6V CMOS基准电压源的设计
《微电子学》2017年第2期160-163,共4页胡云斌 胡永贵 周勇 顾宇晴 陈振中 
国家自然科学基金资助项目(60906009);中国博士后科学基金资助项目(20090451423);重庆科委基金资助项目(CSTC2010AA2004)
基于低压技术,利用亚阈值区MOS管代替寄生BJT管,设计了一种工作在低电源电压下的基准电压源,并对基准电压进行了温度补偿。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了设计和仿真。仿真结果显示:电路正常工作的最低电源电压为0.6V,当电源在0...
关键词：低压基准电压源 CMOS 低压运放 衬底偏置 
一种超低功耗高性能的亚阈值全CMOS基准电压源被引量：3
《半导体技术》2016年第4期261-266,共6页朱智勇 段吉海 邓进丽 韦雪明 赵洪飞 
国家自然科学基金资助项目(61161003;61264001;61166004);广西自然科学基金资助项目(2013GXNSFAA019333);广西桂林电子科技大学研究生科研创新项目(YJCXS201519)
介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传...
关键词：专用集成电路(ASIC) 超低功耗 电压基准源 亚阈值 电源电压抑制比(PSRR) 共源共栅电流镜 
一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源被引量：1
《微电子学与计算机》2015年第7期152-156,共5页段吉海 邓东宇 徐卫林 韦保林 
国家自然科学基金(61161003;61264001;61166004);广西自然科学基金项目(2013GXNSFAA019333)
提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源.电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成;利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,减小了功耗和芯片面积,消除了MOS管体效应...
关键词：电压基准 极低功耗 无电阻 无Bipolar晶体管 
一种工作在亚阈值区的CMOS基准电压源设计被引量：1
《微型机与应用》2013年第4期27-29,32,共4页王元发 魏全 傅兴华 
贵州大学研究生创新基金资助项目(理工2012018)
提出了一种在低电源电压下工作的CMOS电压基准源，其基准电路采用工作在亚闽值区的nMOS晶体管和自偏置的共源共栅晶体管组合，该电路基准电流产生部分采用两个负反馈回路，确保了基准电流的稳定性。该电路采用标准的0．5IxmCMOS工艺，用...
关键词：CMOS电压基准源 低电源电压 亚阈值 自偏置共源共栅 温度系数 
一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
《电子设计工程》2012年第24期139-142,共4页方圆 周凤星 张涛 张迪 
湖北省自然科学基金项目(2011CB234);湖北省教育厅科研项目(D20101104)
基于SMIC0.35μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑...
关键词：带隙基准 电源抑制比 全工艺角低温漂 可修调电阻 
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