CMOS基准电压源

作品数:22被引量:37H指数:3
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相关作者:朱智勇段吉海夏晓娟韦雪明岳宏卫更多>>
相关机构:桂林电子科技大学东南大学电子科技大学中国科学技术大学更多>>
相关期刊:《半导体技术》《电子技术(上海)》《电子科技》《微处理机》更多>>
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  • 作者=徐卫林x
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一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源被引量:1
《微电子学与计算机》2015年第7期152-156,共5页段吉海 邓东宇 徐卫林 韦保林 
国家自然科学基金(61161003;61264001;61166004);广西自然科学基金项目(2013GXNSFAA019333)
提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源.电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成;利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,减小了功耗和芯片面积,消除了MOS管体效应...
关键词:电压基准 极低功耗 无电阻 无Bipolar晶体管 
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