CMOS压控振荡器

作品数:16被引量:20H指数:3
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低电压CMOS压控振荡器设计被引量:1
《半导体技术》2011年第5期382-384,396,共4页刘华珠 黄海云 
东莞市高等院校科研机构重点科技计划项目(200910814002)
设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化。设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和...
关键词:互补金属氧化物半导体 压控振荡器 相位噪声 调谐宽度 滤波器 
适合宽输出范围频率综合器的CMOS压控振荡器电路
《半导体技术》2004年第12期48-51,共4页何波 沈力为 杨莲兴 
设计了一种基于锁相环宽输出范围(10 ~ 160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0 ~ 120 ℃、工艺的ss ~ ffcorner,增益(Kvco)的变化在3倍以内。无需根据输出频率...
关键词:压控振荡器 电流控制型环振 CMOS锁相环 频率综合器 
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