CZSI

作品数：22被引量：12H指数：2
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O_2+HCl气氛中CZSi的IG处理
《半导体技术》1990年第3期53-54,49,共3页张维连 
高纯氧加少量HCl气氛中进行CZSi的IG处理,对抑制硅片表面热氧化层错和钝化Na^+等有良好效果,而对洁净区的形成与厚度影响不大。
关键词：O+HCl C2Si IG处理 集成电路 
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