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作品数：14被引量：7H指数：1
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：周洁康俊勇张砚华卢励吾肖细凤更多>>
相关机构：中国科学院厦门大学香港科技大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微电子学》更多>>
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快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响被引量：1
《物理学报》2002年第2期367-371,共5页卢励吾 张砚华 徐遵图 徐仲英 王占国 J.Wang WeikunGe 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 76 0 0 8) ;国家重点基础研究发展项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83);香港科技大学HKUST6 135 97P资助的课题~~
研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ...
关键词：量子阱 快速热处理 电子发射 DX中心 激光二极管 RTA INGAAS/GAAS 半导体激光器 铟镓砷化合物 砷化镓 
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