氧化物限制

作品数：7被引量：12H指数：2
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相关作者：郝永芹晏长岭冯源赵英杰钟景昌更多>>
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相关期刊：《大气与环境光学学报》《Journal of Semiconductors》《兵工学报》《半导体光电》更多>>
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850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性被引量：8
《Journal of Semiconductors》2005年第5期1024-1027,共4页张永明 钟景昌 赵英杰 郝永芹 李林 王玉霞 苏伟 
兵器工业总公司"十五"支撑资助项目~~
采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究．实验证实该器件在80℃仍能正常工作，在20～80℃的温度区间内，器件的斜率效率由0．3mW／mA降到0．2mW／mA．根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K，器件的基模红移为0．1...
关键词：垂直腔面发射激光器 氧化物限制 温度特性 
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