氧化物限制

作品数：7被引量：12H指数：2
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垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究
《半导体光电》2005年第2期124-127,共4页谢浩锐 钟景昌 赵英杰 王晓华 郝永芹 刘春玲 姜晓光 
国家自然科学基金资助项目(60306004);武器装备预研支撑项目.
在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制。分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98 Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422 ...
关键词：垂直腔面发射激光器 布拉格反射镜 氧化物限制 氧化速率 
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