GUNN

作品数：45被引量：22H指数：3
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10GHz CW GaAs Gunn器件振荡特性的计算机模拟
《Journal of Semiconductors》1983年第4期351-360,共10页王颖娴 李元垠 潘国雄 
本文用隐式差分数值方法对10GHz GaAs Gunn二极管的振荡特性进行了一维计算机模拟.介绍了模拟使用的基本方程,边界条件及计算步骤.给出了器件工作温度、有源层厚度、有源区掺杂分布及界面处掺杂梯度对器件振荡特性的影响.
关键词：器件模型 有源区 计算机模拟 计算机仿真 CW GaAs Gunn 掺杂分布 高场畴 电场分布 GAAS 振荡特性 
Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟
《Journal of Semiconductors》1983年第4期321-333,共13页王守武 郑一阳 郗小林 张进昌 
本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时...
关键词：The TRANSFORMATIONS between stationary and TRANSIT DOMAINS in a GUNN device which has n^+-n-n^+ SANDWICH structure with doping gradient near the anode are investigated.Experimental observation computer simulation carried out.When th 
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