HGCDTE材料

作品数：32被引量：39H指数：3
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微重力生长HgCdTe材料的微观缺陷
《核技术》2000年第6期381-383,共3页魏龙 王文华 王宝义 巨新 吴忠华 奎热西 李毅军 谈晓臣 马勉军 
中国科学院九五重点项目!KJ952-51-416;国家自然科学基金!19805010
采用正电子湮没寿命谱方法对空间微重力及重力条件下生长的呼银汞（MCT）材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的MCT晶体中，其空位型缺陷浓度低于地球上有重句条件下生长的晶体，并且缺陷浓度沿轴向的分布比...
关键词：碲镉汞 红外探测材料 微观缺陷 微重力生长 
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