HGCDTE光导探测器

作品数:16被引量:37H指数:5
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HgCdTe光导探测器的失效分析
《上海微电子技术和应用》1998年第3期25-27,48,共4页邹子英 胡晓宁 
利用剥层分析技术对已知失效的HgCdTe光导探测器进行逆向分析,研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌,寻找器件失效原因,并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。
关键词:失效分析 光导探测器 缺陷 工艺损伤    
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