HGCDTE光导探测器

作品数：16被引量：37H指数：5
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相关作者：蔡毅徐国森张检民杨鹏翎冯国斌更多>>
相关机构：中国科学院昆明物理研究所西北核技术研究所江西师范大学更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《上海微电子技术和应用》《红外与激光工程》《激光与红外》更多>>
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HgCdTe光导探测器比探测率的特性分析
《激光与红外》2016年第7期838-842,共5页姚鹏 王学奇 王海晏 段鹏程 冯超 
从信号和噪声两个方面分析了HgCdTe光导探测器自身温度变化对比探测率D*的影响,并在理论层面上对比探测率的表达式进行了推导。理论分析表明:温度变化影响载流子的浓度和寿命,从而影响信号与噪声的大小,降低探测器的温度可使得探测器的...
关键词：光导型探测器 温度 比探测率 波长 HGCDTE 
碲镉汞光导探测器在中红外激光测量中的热问题被引量：7
《光学精密工程》2015年第1期22-30,共9页张检民 冯国斌 杨鹏翎 张磊 赵军 
激光与物质相互作用国家重点实验室研究基金资助项目(No.SKLLIM1103)
为了准确测量中红外高能激光系统的远场功率密度时空分布等参数,分析了室温光导型碲镉汞(HgCdTe)探测器在环境温度变化和光热效应情况下存在的探测器光敏元温升等热问题,并分别给出了应对措施。从HgCdTe的电学参数经验公式和光导型探测...
关键词：激光参数测量 激光能量测量 中红外激光 HGCDTE光导探测器 热信号修正 
室温中红外HgCdTe光导探测器响应率的温度特性被引量：5
《光子学报》2013年第7期787-791,共5页冯国斌 张检民 杨鹏翎 王群书 安毓英 
激光与物质相互作用国家重点实验室(No.SKL111103)资助
为了评定基于室温中红外HgCdTe光导探测器的氟化氘激光阵列靶斑仪系统的测量不确定度,需要对HgCdTe光导探测器响应率的温度特性进行定量分析.理论分析了室温中波红外HgCdTe光导探测器响应率与温度和波长的关系,得出了在一定范围内探测...
关键词：中红外探测器 光导探测器 HGCDTE 响应率 温度特性 
中波HgCdTe光导探测器组件的故障树和失效研究
《半导体光电》2012年第5期627-631,共5页王韡 许金通 周青 张立瑶 李向阳 
国家自然科学基金项目(60907048);上海市自然科学基金项目(10ZR1434500)
讨论了近室温工作的HgCdTe中波光导探测器组件的可靠性问题,包括组件封装失效、引线键合失效和探测器的性能衰减等。通过收集探测器组件的失效信息,对其失效物理化学机制、制造工艺和探测器参数进行了分析,建立了组件的故障树(FTA),为...
关键词：碲镉汞 探测器组件 故障树 顶事件失效几率 
HgCdTe光导探测器的一种恒流偏置低噪声放大电路的设计被引量：7
《红外》2010年第3期6-10,共5页李大宇 代作晓 魏焕东 
国家863计划(2007AA12Z179)
在多元光导探测器的工程应用中,串音是影响系统性能的一个重要因素。其中,由公共地线电阻引入的电子学串音可以通过提高偏置电阻来抑制。本文从HgCdTe光导探测器的工作特性出发,设计了等效内阻很高的恒流偏置低噪声前置放大电路。对电...
关键词：光导探测器 前置放大 低噪声 恒流偏置 
非本征条件下N型HgCdTe光导探测器的厚度选择
《山东建筑工程学院学报》2001年第3期90-94,共5页庞真 徐笑敏 
分析了N型HG面空间电荷层中的表面电势的变化情况 ,计算了Auger复合寿命及光导器件的探测率 ,讨论了表面电荷密度、表面附合速率及器件厚度对探测器性能的影响。结果表明 ,在非本征条件下 ,对N型HgCdTe光导探测器 ,当表面附合速率及表...
关键词：HGCDTE光导探测器 表面空间电荷 器件厚度 探测率 
激光辐照对HgCdTe长波光导探测器性能的影响被引量：8
《激光与红外》2001年第4期234-235,共2页朱克学 张赟 李向阳 龚海梅 方家熊 
对 Hg Cd Te长波光导探测器进行了变功率激光辐照 ,对激光辐照前后的探测器性能进行了测试。结果表明在受到功率高于暂时损伤阈值但低于永久损伤阈值的激光辐照后 ,探测器性能有较大的下降。
关键词：激光辐照 HGCDTE光导探测器 红外探测器 
昆明物理研究所HgCdTe光导探测器的现状及发展被引量：1
《红外技术》1999年第4期3-6,12,共5页蔡毅 
“七五”、“八五”期间，昆明物理研究所成功地研制和发展了HgCdTeSPRITE探测器组件和多元短线列光导HgCdTe探测器组件，本文简要报道这两种探测器组件的现状和今后的发展。
关键词：HGCDTE SPRITE 多元线列 探测器组件 
HgCdTe光导探测器的失效分析
《上海微电子技术和应用》1998年第3期25-27,48,共4页邹子英 胡晓宁 
利用剥层分析技术对已知失效的ＨｇＣｄＴｅ光导探测器进行逆向分析，研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌，寻找器件失效原因，并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。
关键词：失效分析 光导探测器 缺陷 工艺损伤 汞 镉 碲 
HgCdTe光导探测器的磁阻特性被引量：2
《红外与毫米波学报》1997年第4期256-260,共5页桂永胜 褚君浩 郑国珍 郭少令 汤定元 蔡毅 
测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻．用两种载流子模型的约化电导张量（ＲＣＴ）过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符合得很好．
关键词：光导探测器 磁阻 汞镉碲 RCT 红外探测器 
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