INGAAS/GAAS量子阱

作品数：13被引量：27H指数：4
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MOCVD生长1.06μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究被引量：4
《中国激光》2014年第11期173-177,共5页刘洋 李林 乔忠良 苑汇帛 谷雷 戴银 李特 曲轶 
国家自然科学基金(60976038;61107054;61308051);国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136);吉林省科技发展计划(20100419;20140101192);高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301)
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱...
关键词：材料 金属有机化学气相沉积 INGAAS/GAAS量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 
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