INGAAS/INGAASP

作品数：19被引量：22H指数：3
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Metamorphic growth of 1.55 μm InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells laser structures on GaAs substrates
《Chinese Optics Letters》2015年第3期32-36,共5页李小波 黄永清 王俊 段晓峰 张瑞康 李业弘 刘正 王琦 张霞 任晓敏 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274044 and61020106007);the National Basic Research Program of China(No.2010CB327600);the Natural Science Foundational Science and Technology Cooperation Projects(No.2011RR000100);the 111 Project of China(No.B07005);the Fundamental Research Funds for the Central University(No.2013RC1205);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education(No.20130005130001)
We fabricate a GaAs-based InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells （MQWs） laser at 1.55 pm. Using two-step growth method and thermal cyclic annealing, a thin low-temperature InP layer and a thick InP buffer layer are g...
关键词：AS In GA m InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells laser structures on GaAs substrates Metamorphic growth of 1.55 
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