LDMOST

作品数：13被引量：6H指数：2
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INCREASING BREAKDOWN VOLTAGE OF LDMOST USING BURIED LAYER
《Journal of Electronics(China)》2003年第1期29-32,共4页Han Lei Ye Xingning Chen Xingbi (Institute of Microelectronics, University of Electrical Science and Technology of China,, Chengdu 610054) 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(No.69776041)
A new LDMOST structure, named B-LDMOST that has a buried layer under the drain is proposed. The buried layer is not connected to the drift region, so it can optimize the vertical field distribution and increase breakd...
关键词：B-LDMOST Buried layer Breakdown voltage Ou-resistance Switching time 
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