云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- LDMOST

LDMOST: 作品数：13被引量：6H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：罗晋生唐本奇熊平高玉民卢豫曾更多>>; 相关机构：电子科技大学西安交通大学西北核技术研究所中北大学更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微电子学》《Chinese Physics B》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金江苏省自然科学基金更多>>

检索结果分析

选择条件：

共条记录，以下是1-1

全选清除导出

视图：

排序：

New CMOS compatible super-junction LDMOST with n-type buried layer被引量：1: 《Chinese Physics B》2007年第12期3754-3759,共6页段宝兴张波李肇基; Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 60436030） and the Key Laboratory for Defence Science and Technology on Military Simulation Integrated Circuits （Grant No 9140C0903010604）.; A new super-junction lateral double diffused MOSFET （LDMOST） structure is designed with n-type charge compensation layer embedded in the p^--substrate near the drain to suppress substrate-assisted depletion effect t...; 关键词：super-junction LDMOST n-type buried layer REBULF breakdown voltage